RIGOL 800V HVDC数据中心电源架构下SiC/GaN功率器件动态特性测试
从双脉冲测试原理到仪器选型方法，拆解“测得对、测得稳、测得准”的关键路径。
随着算力基础设施持续扩张，数据中心供电系统正向更高效率、更高功率密度演进，800V HVDC 架构成为重要方向。在“10 kV 交流到 0.9 V 直流”链路中，SiC/GaN 器件分工协同，但其动态过程测试门槛高、误差源复杂。本文梳理 SiC/GaN 动态特性测试的核心方法：以双脉冲测试为主线，结合测试拓扑、参数设置、探头连接、延时校准与结果评判，给出一套可用于研发、封测、系统应用与科研场景的实操思路。
